用于改进图像传感器的反射率光学栅格的方法和装置

摘要

一种用于图像传感器的改进的折射率光学栅格。在一个实施例中，一种背照式CIS器件包括：半导体衬底，具有像素阵列区，像素阵列区包括在半导体衬底的前侧表面上形成的多个光传感器，每个光传感器均在像素阵列区中形成像素；光学栅格材料，设置在半导体衬底的背侧表面上方，光学栅格材料被图案化以形成限定出像素阵列区中的每个像素并且在半导体衬底上方延伸的光学栅格，光学栅格具有侧壁和顶部；以及高反射率涂层，形成在光学栅格上方，包含金属纯度至少为99％的纯金属涂层、以及反射系数大于约2.0的纯金属涂层上方的高k电介质涂层。还公开了多种方法。本发明还提供了一种用于改进图像传感器的反射率光学栅格的方法和装置。

主权项

一种方法，包括：在半导体衬底的背侧上方的像素阵列区上方形成材料层；使用光刻工艺来图案化所述材料层以形成光学栅格，所述光学栅格位于所述像素阵列区上方并且在所述像素阵列区的每个部分中限定出像素传感器；在所述光学栅格上方沉积包含纯度至少为99％金属的纯金属涂层；在所述纯金属涂层上方沉积折射率大于约2.0的介电层；图案化所述纯金属涂层和所述介电层，以在所述光学栅格的每个部分的顶部上方和侧壁上方形成反射涂层；以及在所述光学栅格上方沉积折射率小于约2.0的钝化层。