半导体元件杂质浓度分布控制方法与相关半导体元件

摘要

本发明提出一种半导体元件杂质浓度分布控制方法与相关半导体元件。该半导体元件杂质浓度分布控制方法包括以下步骤：提供基板；于该基板上，定义掺杂范围，该掺杂范围具有第一区域与第二区域；以一屏蔽图案部分遮蔽该第一区域；将杂质掺杂于该掺杂范围内，使得该第一区域内的杂质连成一体，且具有相较于无任何屏蔽图案或包含密度较低的屏蔽图案的第二区域，具有较低的杂质掺杂浓度通过磊晶生长，于该磊晶层中，形成与该第一区域接触的第一井区，此第一井区与该第一区域具有相同传导型态；以及形成与该第二区域接触的第二井区，此第二井区与该第二区域具有相反传导型态；一横向扩散金属氧化物半导体元件形成于该基板中，其包括该掺杂范围、该第一井区、与该第二井区。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；位于该基板内的一掺杂区，此掺杂区内包含第一与第二区域，两区域具有不同的掺杂浓度；于该基板内与该第一区域接触的第一井区，此第一井区与该掺杂区具有相同传导型态；以及于该基板内与该第二区域接触的第二井区，此第二井区与该掺杂区具有相反传导型态；其中，该掺杂区以单一杂质掺杂步骤，通过在第一与第二区域上形成不同密度的屏蔽图案而形成，且该第一井区与该第二井区形成于该掺杂区上方、该基板中的一磊晶层，且该半导体元件为一横向扩散金属氧化物半导体元件；其中该第二区域的掺杂浓度较低或较高，以在该第二井区与该第二区域之间形成对应较高或较低的崩溃防护电压。