| 发明名称 | 金属元件、半导体器件、电子器件和电子设备及其制法 | ||
| 摘要 | 一种金属元件的形成方法，其包括：在基底的处理表面上形成种子层的种子层形成步骤和在种子层上形成镀层的镀层形成步骤，其中，在种子层形成步骤中，在处理表面上形成排斥液体材料的抗液部分，用液相法在抗液部分外的区域中形成种子层。 | ||
| 申请公布号 | CN1305109C | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN200410001557.3 | 申请日期 | 2004.01.13 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宫川拓也 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/288(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01);C25D3/38(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王新华 |
| 主权项 | 1、一种金属元件的形成方法，该方法包括：抗液部分形成步骤，用于在基底的整个处理表面形成抗液部分；亲液部分形成步骤，用于形成亲液部分以除去部分所述抗液部分；通过使用放液法在所述的亲液部分上形成种子层的成膜步骤，所述的种子层用于为所述亲液部分排放液体材料；镀层形成步骤，用于在所述种子层上形成镀层；和绝缘膜形成步骤，用于在所述基底的所述处理表面上形成绝缘膜，同时将所述的抗液部分保留在所述处理表面上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||