发明名称 |
一种异质结电池的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种异质结电池的制备方法,包括如下步骤:在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层,这里的n型硅片可以是单晶或是多晶硅片;在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层;在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜;在所述硅片的背面形成背电极和铝背场;在所述硅片的正面形成正电极。另外,本发明还公开了一种双面异质结电池的制备方法。本发明采用掺硼氧化锌薄膜除替代ITO薄膜作为减反膜,由于掺硼氧化锌的特殊性质,特别是光陷作用,掺硼氧化锌可以起到良好的减反射作用,这样就省去了制绒的步骤,简化了制备工艺,由于多晶硅制绒更加具有挑战性,本发明对采用多晶硅硅片的异质结电池更加有意义。 |
申请公布号 |
CN103227246A |
申请公布日期 |
2013.07.31 |
申请号 |
CN201310125902.3 |
申请日期 |
2013.04.11 |
申请人 |
浙江正泰太阳能科技有限公司 |
发明人 |
牛新伟;郁操;丁澜;戎俊梅;刘石勇;王明华;胡金艳;韩玮智;朱永敏;张华;冯涛;金建波;仇展炜;杨立友 |
分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 |
代理人 |
冯谱 |
主权项 |
一种异质结电池的制备方法,其中,包括如下步骤:a)在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层;b)在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层;c)在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜;d)在所述n型硅片的背面形成背电极和铝背场;e)在所述n型硅片的正面形成正电极。 |
地址 |
310053 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 |