发明名称 |
发光器件、封装和系统 |
摘要 |
本发明提供一种发光器件,所述发光器件包括:第一导电型的第一半导体层;与所述第一半导体层邻接的有源层;设置为与所述有源层邻接的第二导电型的第二半导体层;设置在所述有源层的侧表面上的钝化层。所述钝化层是所述第一导电型、所述第二导电型或第一未掺杂的半导体层之一的半导体层。第一电极可与所述第一半导体层连接,第二电极可与所述第二半导体层连接。 |
申请公布号 |
CN101882660B |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN201010170253.5 |
申请日期 |
2010.05.04 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
洪昶憙;金炯九;曹贤敬 |
分类号 |
H01L33/44(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;F21S2/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N |
主分类号 |
H01L33/44(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
顾晋伟;王春伟 |
主权项 |
一种发光器件,包括:第一导电型的第一半导体层;与所述第一半导体层邻接的有源层;设置为与所述有源层邻接的第二导电型的第二半导体层;与所述第一半导体层连接的第一电极;和与所述第二半导体层连接第二电极,其中在所述有源层的侧表面上设置有第一保护层,所述第一保护层包括所述第一导电型、所述第二导电型或第一未掺杂的半导体层之一的半导体层;在所述第二半导体层和所述第二电极之间形成有第二保护层,其中所述第二保护层与所述第一保护层相连,其中所述第二保护层由与所述第一保护层相同的材料制成,其中所述第一保护层具有比所述第二保护层高的电阻。 |
地址 |
韩国首尔 |