发明名称 |
一种P型GaN低流量掺杂剂控制生长方法 |
摘要 |
一种P型GaN低流量掺杂剂控制生长方法属于半导体材料制备领域。Cp2Mg作为p型掺杂剂,在衬底上依次往上生长低温成核层,非故意掺杂GaN层,然后是p型GaN层,生长p型GaN是先生长非掺杂GaN,生长时间为10s,然后通入CP2Mg源,生长时间为8s,并以这样18s为一个单周期重复生长,共生长320~350个周期。CP2Mg流量控制在35sccm~50sccm之间,生长温度为920℃‐980℃。本案方法能够增加Mg原子掺入效率,抑制其自补偿效应,提高空穴浓度,改善晶体质量,从而获得高性能的p型GaN材料,为降低GaN基LED器件的正向压降和提高使用寿命提供有益的帮助。 |
申请公布号 |
CN103215642A |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN201310106847.3 |
申请日期 |
2013.03.23 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
韩军;邢艳辉;李影智 |
分类号 |
C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I |
主分类号 |
C30B25/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
刘萍 |
主权项 |
一种P型GaN低流量掺杂剂控制生长方法,其特征在于包括如下步骤:步骤一、将衬底放入反应室中,去除衬底的杂质;步骤二、在衬底上外延低温成核层和高温缓冲层;低温成核层的外延条件为:生长温度为500‑550℃,生长厚度为20‑30nm;高温缓冲层外延条件为:生长温度为1050‑1150℃,生长厚度为:1.5‑2μm;步骤三、在所述高温缓冲层上生长p型GaN层;其中p型GaN的生长是采用间断控制掺杂p型层生长方法,具体为:先生长非掺杂GaN,生长时间为10s,然后通入CP2Mg源,生长时间为8s,并以这样一个18s为一个单周期重复生长,共生长320~350个周期;生长温度为920℃‑980℃,CP2Mg流量控制在35sccm~50sccm之间;步骤四、采用热退火方法对Mg杂质进行活化;其中Mg杂质活化在氮气氛围下进行的,温度为730‑750℃,时间为30‑50min,N2流量为2‑4L/min。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |