| 发明名称 | 芯片两侧分段式通路的形成 | ||
| 摘要 | 制造半导体组件(10)的方法包括，提供具有正面(21)、背面(22)及复数个导电垫(50)的半导体元件(20)，通过从正面(21)上方应用相应导电垫(50)的处理过程形成穿过相应导电垫(50)而延伸的至少一个孔(40)，形成从背面(22)至少穿过半导体元件(20)的部分厚度而延伸的开口(30)，使得至少一个孔(30)与开口(40)在正面与背间之间的位置相交，形成在背面(22)暴露的至少一个导电元件(60,80)，用于与外部器件电连接，至少一个导电元件在至少一个孔(30)内延伸，并至少延伸至开口(40)内，导电元件与相应导电垫(50)电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN103210486A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201180055321.6 | 申请日期 | 2011.09.14 |
| 申请人 | 德塞拉股份有限公司 | 发明人 | 瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;克雷格·米切尔;皮尤什·萨瓦利亚 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人 | 段淑华;刘曾剑 |
| 主权项 | 制造半导体组件的方法，包括：提供具有正面、远离所述正面的背面及复数个导电垫的半导体元件，每个垫具有在所述正面暴露的顶面、及远离所述顶面的底面；通过从所述正面上方应用至相应导电垫的处理过程，形成至少穿过相应的一个导电垫的至少一个孔；形成从所述背面至少穿过所述半导体元件的部分厚度而延伸的开口，使得所述至少一个孔与所述开口在所述正面与所述背面之间的位置相交；及形成在所述背面暴露的至少一个导电元件，用于与外部器件电连接，所述至少一个导电元件在所述至少一个孔内延伸，并至少延伸至所述开口内，所述导电元件与所述相应导电垫电连接。 | ||
| 地址 | 95134 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号 | ||