发明名称 |
一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法,没有使用三维网络结构的模版,直接通过催化剂辅助的化学气相沉积方法首次在2D针刺碳毡的表面制备了自组装的三维HfC晶须网络结构,所制得的产物相比模版法引入的其他元素的杂质含量少。 |
申请公布号 |
CN103194734A |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201310129980.0 |
申请日期 |
2013.04.15 |
申请人 |
西北工业大学 |
发明人 |
李贺军;田松;张雨雷;张守阳;强新发 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
西北工业大学专利中心 61204 |
代理人 |
王鲜凯 |
主权项 |
一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1:配制浓度为0.05~2mol/L的Ni(NO3)2或NiCl2的乙醇溶液;步骤2:将清洗干净的2D针刺碳毡放在步骤1配制的溶液中浸泡1~2h,然后取出2D针刺碳毡放在40~55℃的干燥箱内烘干;步骤3:将步骤2烘干的2D针刺碳毡放于管式电阻炉内的沉积模具中,抽真空至2kPa,通入惰性氩气作为保护气体;以5~10℃/min的升温速度将炉温升至1200~1400℃,然后通入H2、HfCl4和CH4气体,控制H2、HfCl4和CH4的分压分别为0.80~0.98,0.10~0.01,0.10~0.01;调节真空泵抽速,将CVD炉内的沉积压力控制在2kPa~30kPa;沉积时间为2~10h;沉积结束后停止通入反应气体,关闭加热电源自然降温,在2D针刺碳毡沉积表面制得自组装三维HfC晶须网络结构。 |
地址 |
710072 陕西省西安市友谊西路127号 |