改善MIM电容器制作中电弧放电缺陷的方法

摘要

本发明提供一种改善MIM电容器制作中电弧放电缺陷的方法，在制造MIM电容器之前，先将金属层间介质层中用于光刻对准或测量的光刻标记沟槽填平，从而消除了尖端放电的产生的条件，使得在金属层间介质层以及填平的光刻标记沟槽上方制造MIM电容器的过程中，避免了上电极层的电弧放电缺陷，提高了半导体集成电路的良品率。

主权项

一种改善MIM电容器制作中电弧放电缺陷的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积金属层间介质层；在所述金属层间介质层中形成光刻标记沟槽；在所述光刻标记沟槽中依次沉积光刻标记层以及导电层，并使所述光刻标记层以及导电层的顶部与所述金属层间介质层顶部齐平；在所述金属层间介质层、光刻标记层以及导电层上方依次沉积下电极层、极间介电质层以及上电极层，形成MIM电容器。