形成积体电路之感应器结构的方法及积体电路之感应器结构

摘要

本发明说明了形成微电子装置之方法及相关联的结构。那些方法可包含下列步骤：在一基材上形成一磁性材料，其中该磁性材料包含铼、钴、铁、及磷；以及在低于大约摄氏330度的一温度下将该磁性材料退火，其中该被退火的磁性材料之矫顽力低于大约1厄斯特。