发明名称 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Hochfrequenz-Verbindung zwischen zwei Plattenabschnitten sowie eine zugehörige elektrische Hochfrequenz-Verbindung
摘要 Ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer elektrischen kapazitiven oder galvanischen Verbindung zwischen zwei Plattenabschnitten 10, 20 zeichnet sich unter anderem durch folgende Merkmale aus – die elektrische Verbindung wird im Sinne einer Durchsetz-Fügeverbindung hergestellt, und – die zu verbindenden Plattenabschnitte (10, 20) werden dazu in einer Tiefzieh-Öffnung (49) tiefgezogen, wobei der tiefgezogene Flächenabschnitt unter Begrenzung der Ausdehnung in zueinander abgewandten Querrichtungen und in Tiefziehrichtung breit gequetscht wird und dabei zum formschlüssigen Verhaken der Plattenabschnitte (10, 20) ein tiefgezogener und quer gequetschter Flächenanteil einer topfförmigen Vertiefung (100) eines Plattenabschnitts (10) den anderen Plattenabschnitt (20) im Bereich einer topfförmigen Vertiefung (200) hintergreift, so dass unter plastischer Verformung des Plattenmaterials des ersten und des zweiten Plattenabschnitts (10, 20) ein Fügeverbindungsbereich (30) entsteht, in welchem Material des ersten und zweiten Plattenabschnittes (10, 20) form- und kraftschlüssig miteinander verbunden sind.
申请公布号 DE102011122037(A1) 申请公布日期 2013.06.27
申请号 DE201110122037 申请日期 2011.12.22
申请人 KATHREIN-WERKE KG 发明人 FROEHLER, CHRISTIAN;GUENTHER, MARIO
分类号 H05K3/36;B21D39/03;H01R43/04 主分类号 H05K3/36
代理机构 代理人
主权项
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