发明名称 |
具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法,该方法为依次生长Ge电池(2)、应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格电池(3)以及GaInAs电池(4)、第一减反射层(5)、第二减反射层(6)、GaInP电池(7)、第三减反射层(8)、第四减反射层(9)和第五减反射层(10);在第三减反射层(8)上形成所述顶电极(11);在Ge电池(2)的整个下形成底电极(1)。 |
申请公布号 |
CN103178158A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201310065122.4 |
申请日期 |
2013.02.28 |
申请人 |
溧阳市生产力促进中心 |
发明人 |
梅欣;张俊 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
黄明哲 |
主权项 |
一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法,依次包括如下步骤:步骤一:利用MOCVD工艺依次生长Ge电池(2)、应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格电池(3)以及GaInAs电池(4);步骤二:利用MOCVD工艺在GaInAs电池(4)生长第一减反射层(5),此后在真空镀膜机中将第二减反射层(6)蒸镀到第一减反射层(5)的表面上;步骤三:利用MOCVD工艺在第二减反射层(6)上生长GaInP电池(7);步骤四:利用MOCVD工艺在GaInP电池(7)上生长第三减反射层(8),此后在真空镀膜机中,在第三减反射层(8)的表面上依次蒸镀第四减反射层(9)和第五减反射层(10);步骤五:在第五减反射层(10)的表面上,使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极(11)的区域之外的区域之后,采用氢氟酸溶液刻蚀第四减反射层(9)和第五减反射层(10),直至露出第三减反射层(8)为止;步骤六:采用溅射工艺在第三减反射层(8)的将要形成顶电极(11)的区域上溅射金属银,从而形成所述顶电极(11);步骤七:在Ge电池(2)的整个下表面溅射金属银,以形成底电极(1)。 |
地址 |
213300 江苏省常州市溧阳市东大街182号 |