发明名称 |
绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路 |
摘要 |
本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路,其驱动芯片副边正负电源供电,正负电平输出。前级推挽电路、电平转换电路以及后级推挽电路共用驱动芯片副边的正负电源。驱动芯片的输出连接前级推挽电路的输入,前级推挽电路的输出与电平转换电路相连,电平转换电路的输出与后级推挽电路相连,后级推挽电路的输出与IGBT门极驱动电阻相连。本发明,前级推挽电路和电平转换电路结合在一起,为后级推挽电路的MOS管提供了互锁的驱动信号,且加入了硬件死区,避免MOS管推挽结构内部的直通,且MOS管的GS电压控制在±20V之内,保证了MOS管的可靠工作。后级推挽电路采用MOS管,能够配合有效的IGBT门极钳位,限制IGBT短路电流,提高IGBT工作可靠性。 |
申请公布号 |
CN103178694A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201310065497.0 |
申请日期 |
2013.03.01 |
申请人 |
南京埃斯顿自动控制技术有限公司;南京埃斯顿自动化股份有限公司 |
发明人 |
姚瑱;戴安刚;郑静文;吴波 |
分类号 |
H02M1/088(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/088(2006.01)I |
代理机构 |
江苏圣典律师事务所 32237 |
代理人 |
程化铭 |
主权项 |
一种绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路,包括驱动芯片和IGBT门极驱动电路,驱动芯片副边正负电源供电,正负电平输出;其特征是:还包括前级推挽电路、电平转换电路以及后级推挽电路;所述前级推挽电路、电平转换电路以及后级推挽电路共用驱动芯片副边的正负电源,驱动芯片的输出连接前级推挽电路的输入,前级推挽电路的输出与电平转换电路相连,电平转换电路的输出与后级推挽电路相连,后级推挽电路的输出与IGBT门极驱动电阻相连。 |
地址 |
211100 江苏省南京市江宁经济开发区将军大道155号 |