| 发明名称 | 带有直立式纳米线结构的LED及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及带有直立式纳米线结构的LED及其制作方法。本发明涉及发光二极管LED。具体而言，本发明涉及包括作为有源部件的纳米线的LED。根据本发明的纳米结构化LED包括基片和从该基片突出的直立式纳米线。提供有源区(120)以产生光的pn结存在于该结构内。纳米线(110)或由纳米线形成的结构形成波导(116)，以将有源区中产生的光的至少一部分定向到由纳米线(110)给定的方向。 | ||
| 申请公布号 | CN102255018B | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201110235696.2 | 申请日期 | 2007.12.22 |
| 申请人 | 昆南诺股份有限公司 | 发明人 | L·萨穆尔森;B·佩德森;J·奥尔森 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;王忠忠 |
| 主权项 | 一种包括基片(105)和多个纳米结构化LED(100)的LED，其中每个LED包括外延地连接到纳米线(110)的体积元件(115)，所述体积元件被设置成为有源区(120)的形成提供高掺杂度，纳米结构化LED包括由纳米线(110)和体积元件(115)的组合形成的pn结和产生光的有源区(120)，其中纳米结构化LED的至少一部分形成波导部分，其将有源区中产生的光定向到由纳米线给定的方向，其中波导部分(116)具有第一有效折射率nw，围绕波导部分(116)的至少一部分的材料(107)具有第二有效折射率nc，体积元件(115)具有第三有效折射率nVE，并且第一有效折射率大于第二有效折射率nw＞nc，以及第一有效折射率大于第三有效折射率nw＞nVE，给波导部分(116)提供导波特性，其中每个单独LED被提供有在体积元件上的接触(125)，该接触被连接用于逐组地寻址LED。 | ||
| 地址 | 瑞典隆德 | ||