| 发明名称 | 半导体装置以及电子设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，包括：设置在第一端子部100中并包括第一n型杂质区域106、在平面图中设置在所述第一n型杂质区域106的内周部的第一电阻区域107、以及在平面图中设置在所述第一电阻区域1 07的内周部的第一p型杂质区域108的第一半导体区域103，设置在所述第二端子部101中并包括第二p型杂质区域109、在平面图中设置在所述第二p型杂质区域109的内周部的第二电阻区域110、以及设置在所述第二电阻区域110的内周部的第二n型杂质区域111的第二半导体区域104。 | ||
| 申请公布号 | CN101615620B | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN200910149637.6 | 申请日期 | 2009.06.17 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 福冈修;早川昌彦;肉户英明 |
| 分类号 | H01L27/142(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/142(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体区域；第一电极；第二电极；电连接到所述第一电极的第一端子；电连接到所述第二电极的第二端子；以及功能电路，其中所述第一端子设置在所述半导体区域上，所述半导体区域包括：具有n型和p型中的一种导电型的第一杂质区域；在平面图中设置在所述第一杂质区域的内周部的电阻区域；以及在所述平面图中设置在所述电阻区域的内周部的具有n型和p型中的另一种导电型的第二杂质区域，所述第一杂质区域电连接到所述第一电极，所述第二杂质区域电连接到所述第二电极，并且所述功能电路的第一端子电连接到所述第一电极，所述功能电路的第二端子电连接到所述第二电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||