一种低粗糙度硅片碱腐蚀工艺

摘要

本发明涉及一种低粗糙度硅片腐蚀工艺。其步骤是：（A）在高压水浴锅内配制碱腐蚀液后，设定准备温度为115℃至130℃；（B）将装有研磨片的片蓝浸入碱腐蚀溶液中，关闭高压水浴锅上盖，加压至180-260Kpa，升温至145℃至160℃；（C）碱腐蚀1至10分钟后，提升机械手；（D）打开气阀进行放气至标准大气压后，打开高压水浴锅上盖，下载片蓝，浸入稀盐酸溶液内浸泡；浸泡后再进行快排漂洗、清洗、甩干、送检验；（E）利用热水箱对高压水浴锅进行补水，保持腐蚀液浓度配比，加热至准备温度。通过调整碱腐蚀的原始工艺，使碱腐蚀系统具备生产粗糙度在1um以下硅片的能力，为下一道抛光提供了更好的表面质量，从而满足市场对器件基底材料的要求。

主权项

一种低粗糙度硅片碱腐蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：（A）、在高压水浴锅内配制碱腐蚀液，升温至准备温度；设定准备温度为115℃至130℃；（B）、利用机械手将装有研磨片的片蓝浸入高压水浴锅内碱腐蚀溶液中，关闭高压水浴锅上盖，开始加压，升温，加压至180‑260kPa，升温至145℃至160℃；（C）、碱腐蚀1至10分钟后，然后提升机械手；（D）、打开气阀进行放气至标准大气压后，打开高压水浴锅上盖，下载片蓝，浸入稀盐酸溶液内浸泡；浸泡后再进行快排漂洗、清洗、甩干、送检验；（E）、利用热水箱对高压水浴锅进行补水，保持腐蚀液浓度配比，加热至准备温度；所述配制碱腐蚀液的溶质为KOH或NaOH，溶剂为去离子水，KOH或NaOH所占碱腐蚀液的重量百分比范围为30%‑60%。