| 发明名称 | 光电装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于电子装置，优选用于光电装置的电流阻断结构。所述电流阻断结构包括：半导体材料布置，其包括n型掺钌磷化铟（Ru-InP）层；以及第一p型半导体材料层，其中所述n型Ru-InP层的厚度小于0.6微米。所述半导体材料布置以及所述p型半导体材料层形成电流阻断p-n结。所述电流阻断结构可更包括其他n型层和/或多个n型Ru-InP层和/或本征/未经掺杂层，其中所述n型Ru-InP层的厚度大于0.6微米。 | ||
| 申请公布号 | CN103125054A | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN201180016728.8 | 申请日期 | 2011.02.09 |
| 申请人 | 华为技术有限公司 | 发明人 | 萨克吉班·杜三治;伊恩·里阿尔曼;格登·本治;迈克尔·罗伯逊 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/227(2006.01)I;H01L33/14(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人 | 钟胜光 |
| 主权项 | 一种电子装置，包括电流阻断结构；所述电流阻断结构包括：a）第一p型半导体材料层；以及b）半导体材料布置，其包括n型掺钌磷化铟（Ru‑InP）层；所述半导体材料布置以及所述p型半导体材料层形成第一p‑n结；其中所述n型掺钌磷化铟层的厚度小于0.6微米。 | ||
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 | ||