金属栅极形成方法

摘要

本发明公开了一种金属栅极形成方法，包括：在衬底上形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀形成侧壁倾斜的沟槽，且沟槽开口宽度大于所露出的衬底宽度；在沟槽的侧壁上形成隔离侧墙，且沟槽开口宽度大于所露出的衬底宽度；在沟槽内依次形成伪多晶硅栅极和阻挡层；去除牺牲层，并形成主侧墙；去除阻挡层和伪多晶硅栅极，形成沟槽；在沟槽中所露出的衬底上依次形成栅介质层和金属层，以形成金属栅极。本发明在金属栅极形成的过程中，将沟槽的侧壁制作成开口宽度大于所露出的衬底宽度的倒梯形形状，使得在后续的金属层形成过程中在沟槽开口上附着的金属不会导致沟槽开口过小而阻碍金属向沟槽内部进行沉积，保证了金属栅极的可靠性和良好的半导体器件性能。

主权项

一种金属栅极形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成牺牲层；对所述牺牲层进行刻蚀，形成沟槽并露出所述衬底，所述沟槽的侧壁倾斜，并且沟槽开口宽度大于所露出的衬底宽度；在所述沟槽的侧壁上形成隔离侧墙，形成隔离侧墙后的沟槽开口宽度大于所露出的衬底宽度；在所述沟槽内形成伪多晶硅栅极，并在所述伪多晶硅栅极表面形成阻挡层；去除所述牺牲层，并在所述隔离侧墙外侧形成主侧墙；去除所述阻挡层和伪多晶硅栅极，形成沟槽；在沟槽中所露出的衬底上依次形成栅介质层和金属层，以形成金属栅极。