发明名称 |
一种表面集成石墨烯的碳微结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种表面集成石墨烯的碳微结构的制备方法,其步骤包括:(1)图案化有机聚合物微结构;(2)在所得有机聚合物微结构上沉积碳材料层或金属层薄膜;(3)热解所得沉积薄膜结构的有机聚合物,即可获得表面集成石墨烯的碳微结构。本发明的方法工艺简单,成本低廉,所得大表面积结构可以用在微电池,超级电容等方面,极大的改进性能。 |
申请公布号 |
CN102180439B |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN201110079747.7 |
申请日期 |
2011.03.31 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
汤自荣;刘丹;史铁林;张雷;爽 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
朱仁玲 |
主权项 |
一种表面集成石墨烯的碳微结构的制备方法,其步骤包括:(1)图案化有机聚合物微结构;(2)在所得有机聚合物微结构上沉积碳材料层或金属层薄膜,得到具有薄膜结构的有机聚合物,所述碳材料层或金属层薄膜为一层或多层结构的薄膜;(3)热解所述具有薄膜结构的有机聚合物,即可获得表面集成石墨烯的碳微结构。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |