发明名称 一种表面集成石墨烯的碳微结构及其制备方法
摘要 本发明提供一种表面集成石墨烯的碳微结构的制备方法,其步骤包括:(1)图案化有机聚合物微结构;(2)在所得有机聚合物微结构上沉积碳材料层或金属层薄膜;(3)热解所得沉积薄膜结构的有机聚合物,即可获得表面集成石墨烯的碳微结构。本发明的方法工艺简单,成本低廉,所得大表面积结构可以用在微电池,超级电容等方面,极大的改进性能。
申请公布号 CN102180439B 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201110079747.7 申请日期 2011.03.31
申请人 华中科技大学 发明人 汤自荣;刘丹;史铁林;张雷;爽
分类号 B81C1/00(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 朱仁玲
主权项 一种表面集成石墨烯的碳微结构的制备方法,其步骤包括:(1)图案化有机聚合物微结构;(2)在所得有机聚合物微结构上沉积碳材料层或金属层薄膜,得到具有薄膜结构的有机聚合物,所述碳材料层或金属层薄膜为一层或多层结构的薄膜;(3)热解所述具有薄膜结构的有机聚合物,即可获得表面集成石墨烯的碳微结构。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号