发明名称 |
一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法 |
摘要 |
本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法,原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF3,其化学式为:Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1,Gd与Y是性质相近的稀土元素,Gd离子半径比Y离子半径大4%,刚好介于Nd3+与Y3+之间,大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格,减小了晶体的内部张力,同时减小Y3+附近刃型位错应变能,从而可以抑制位错的迁移和重排,从而降低位错的密度,即抑制小角晶界的形成,可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性,获得高光学质量,物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体,其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%,该激光晶体采用提拉法进行生长,工艺简单,能够实现大规模低成本的批量生产。 |
申请公布号 |
CN103103610A |
申请公布日期 |
2013.05.15 |
申请号 |
CN201210565733.0 |
申请日期 |
2012.12.24 |
申请人 |
福建福晶科技股份有限公司 |
发明人 |
张作望;吴少凡 |
分类号 |
C30B29/12(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/12(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种掺钕氟化钇钆锂激晶体,属于四方晶系,以稀土钕为激活离子,氟化钇钆锂为基质物质,其特征在于:所述掺钕氟化钇钆锂晶体的化学式为Ndx:Y(1‑x‑y)GdyLiF4,其中x=0~0.02,y=0.005~0.1。 |
地址 |
350003 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区9号楼福晶科技园 |