| 发明名称 | 有机电致发光元件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种有机电致发光元件，其中按顺序相继形成一个电极、至少一个有机沉积层和另一个电极。该有机电致发光元件的特征在于：有机沉积层的在所述另一个电极侧的表面的表面粗糙度(Ra)与有机沉积层的厚度(t)满足以下关系：0.093＜Ra/t＜0.340。本发明还公开了一种用于制备有机电致发光元件的方法，其中按顺序相继形成一个电极、包括发光层的至少一个有机沉积层和另一个电极。进行有机沉积层的沉积以使得有机沉积层的在所述另一个电极侧的表面的表面粗糙度(Ra)与有机沉积层的厚度(t)满足以下关系：0.093＜Ra/t＜0.340。 | ||
| 申请公布号 | CN102484208B | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201080033346.1 | 申请日期 | 2010.07.12 |
| 申请人 | UDC爱尔兰有限责任公司 | 发明人 | 佐藤祐;神长邦行;林诚之;堤清彦;藤田光宏 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种有机电致发光元件，所述有机电致发光元件包括：第一电极；至少一个有机沉积层；和第二电极，所述第一电极、所述有机沉积层和所述第二电极按上述顺序形成，其中所述有机沉积层满足关系0.093＜Ra/t＜0.340，其中Ra表示所述有机沉积层的表面的表面粗糙度，所述表面位于所述第二电极侧，并且t表示所述有机沉积层的厚度，并且其中所述有机沉积层的厚度t为1nm至3nm。 | ||
| 地址 | 爱尔兰都柏林 | ||