一种基于有序纳米线阵列的气敏元件制备方法

摘要

本发明公开了一种基于有序纳米线阵列的气敏元件制备方法。本方法为：1)在基片上制备一阵列结构图形；2)在制备有所述阵列结构图形的基片上制备一金属层，然后对所述金属层进行剥离处理，得到金属催化剂阵列；3)将制备有所述金属催化剂阵列的基片和气敏元件的纳米线所需金属置于反应室内，制备金属纳米线阵列；4)在所述金属纳米线阵列上方套刻测试用电极，制备所需气敏元件。本发明的气敏元件更有利于从材料本征气敏特性方面分析气敏机理、稳定性高。

主权项

一种基于有序纳米线阵列的气敏元件制备方法，其步骤为：1)在基片上制备一阵列结构图形；2)在制备有所述阵列结构图形的基片上制备一金属层，然后对所述金属层进行剥离处理，得到金属催化剂阵列；3)将制备有所述金属催化剂阵列的基片和气敏元件的纳米线所需金属置于反应室内，制备金属纳米线阵列；4)在所述金属纳米线阵列上方套刻测试用电极，制备所需气敏元件。