功率半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供能够实现高温环境下绝缘耐压和可靠性的提高的功率半导体器件的制造方法。通过组合氧等离子体表面处理工序（工序5）和硅胶注入前的预备加热工序（工序6），能够提高硅胶（9）（保护材料）与带导电图案的绝缘基板（1）及半导体芯片（2）的密合性，实现高温环境下功率半导体器件的绝缘耐压和可靠性的提高。

主权项

一种功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：接合在散热底座上的带导电图案的绝缘基板；接合在所述带导电图案的绝缘基板上的半导体芯片；收纳所述带导电图案的绝缘基板和所述半导体芯片并粘接在所述散热底座的树脂壳体；和填充于所述树脂壳体内的保护材料，所述功率半导体器件的制造方法的特征在于，包括：将半导体芯片接合在带导电图案的绝缘基板上的工序；将所述带导电图案的绝缘基板接合在散热底座的工序；将树脂壳体粘接在所述散热底座的工序；对所述带散热图案绝缘基板的表面和所述半导体芯片的表面实施氧等离子体表面处理的工序；对所述带散热图案绝缘基板和所述半导体芯片进行高温加热并除去湿气的工序；和将保护材料填充到树脂壳体内的工序。