| 发明名称 | 包括浮栅的非易失性半导体器件、制造非易失性半导体器件的方法及相关系统 | ||
| 摘要 | 一种存储器件包括衬底中的相邻隔离层之间的衬底上的第一浮栅电极，该第一浮栅电极的至少一部分在相邻隔离层的一部分上面突出；第二浮栅电极，在相邻隔离层的至少一个上，电连接到第一浮栅电极；该第一和第二浮栅电极上方的介电层；以及该介电层及第一和第二浮栅电极上方的控制栅。 | ||
| 申请公布号 | CN101299442B | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN200810008714.1 | 申请日期 | 2008.01.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李世薰;崔晶东;张桐熏;李钟振 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 一种存储器件，包括：第一浮栅电极，在衬底中的相邻隔离层之间的所述衬底上，所述第一浮栅的至少一部分在所述相邻隔离层的一部分的上方突出；第二浮栅电极，在所述相邻隔离层的至少一个上，电连接到所述第一浮栅电极；绝缘层，该绝缘层邻近所述第二浮栅电极并在相邻的第二浮栅电极之间且在所述相邻隔离层上；介电层，在所述第一和第二浮栅电极以及所述绝缘层上方；以及控制栅，在所述介电层及所述第一和第二浮栅电极上方。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||