双重递送腔室设计

摘要

一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所述第二处理气体在所述喷头下方混合且在所述喷头下方的基板上沉积材料层。

主权项

一种装置，包括：提供耦合至喷头上表面的热腔室、耦合至所述喷头下表面的处理腔室以及在所述处理腔室中的用于支撑基板的基座；加热所述热腔室中的第一处理气体以产生中性基；传送所述中性基从所述热腔室经过延伸穿过所述喷头的第一列孔至所述处理腔室；传送第二处理气体经过与所述第一列孔隔离的所述喷头中的第二列孔；将所述中性基与所述第二处理气体进行混合；以及在所述处理腔室中的所述基板上沉积材料层。