三维集成电路横向散热

摘要

通过用热传导材料(320)填充堆叠的IC装置的层(31、32)之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔(331)构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置(310)的散热。

主权项

一种三维集成电路，其包含：第一裸片，其堆叠在第二裸片上，所述第一裸片和所述第二裸片包括有源表面和衬底，所述第一裸片和所述第二裸片的有源表面被多个层间电路径耦合在一起，所述层间电路径在所述第一裸片和所述第二裸片的有源表面之间形成间隙；以及第一热传导材料，其安置于所述间隙中，所述第一热传导材料具有比所述第一裸片及所述第二裸片的热传导率高的热传导率。