| 发明名称 | 鳍式晶体管的鳍部的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式晶体管的鳍部的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀第一深度的所述半导体衬底，在所述半导体衬底形成沟槽；沿平行半导体衬底表面方向刻蚀部分宽度的所述硬掩膜层；在所述沟槽内填充介质层直至所述介质层与所述硬掩膜层齐平；去除所述硬掩膜层；以所述介质层为掩膜，刻蚀第一深度的所述半导体衬底。本发明的实施例能够同时形成两个鳍部，并且能够减少刻蚀的步骤，提高了效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103094112A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110338440.4 | 申请日期 | 2011.10.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 鲍宇 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式晶体管的鳍部的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀第一深度的所述半导体衬底，在所述半导体衬底形成沟槽；沿平行半导体衬底表面方向刻蚀部分宽度的所述硬掩膜层；在所述沟槽内填充介质层直至所述介质层与所述硬掩膜层齐平；去除所述硬掩膜层；以所述介质层为掩膜，刻蚀第一深度的所述半导体衬底。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||