发明名称 半导体存储装置及其测试电路
摘要 本发明公开了一种半导体存储装置,包括:存储器单元阵列,所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储器单元;开关单元,所述开关单元被配置成与数据输入和输出焊盘耦接,且响应于测试模式信号来控制施加至所述数据输入和输出焊盘的数据的数据传输路径;写入驱动器,所述写入驱动器被配置成在正常模式下驱动从开关单元传送的数据,并将数据写入存储器单元阵列中;以及控制器,所述控制器被配置成在测试模式下将来自开关单元的数据传送至存储器单元。
申请公布号 CN103093828A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201210075525.2 申请日期 2012.03.21
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 李宰雄
分类号 G11C29/04(2006.01)I 主分类号 G11C29/04(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 俞波;郭放
主权项 一种半导体存储装置,包括:存储器单元阵列,所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储器单元;开关单元,所述开关单元被配置成与数据输入和输出焊盘耦接,且响应于测试模式信号来控制施加至所述数据输入和输出焊盘的数据的数据传输路径;写入驱动器,所述写入驱动器被配置成在正常模式下驱动从所述开关单元传送的数据,并将所述数据写入所述存储器单元阵列中;以及控制器,所述控制器被配置成在测试模式下将来自所述开关单元的数据传送至所述存储器单元。
地址 韩国京畿道