发明名称 |
薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置 |
摘要 |
本发明的薄膜晶体管的目的在于提供可以使优异的导通特性与优异的截止特性并存、电特性相对于源电极以及漏电极的调换成为对称的薄膜晶体管,具备:基板(100);栅电极(110);栅极绝缘层(120);形成于栅电极(110)的上方的栅极绝缘层(120)上的结晶硅层(131);形成于栅极绝缘层(120)上且结晶硅层(131)的两侧、膜厚比结晶硅层(131)的膜厚薄的非晶硅层(130);形成于结晶硅层(131)上的沟道保护层(140);源电极(171)以及漏电极(172)。 |
申请公布号 |
CN103081078A |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
CN201180040719.2 |
申请日期 |
2011.07.05 |
申请人 |
松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社 |
发明人 |
林宏;川岛孝启;河内玄士朗 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
周春燕;段承恩 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,具备:基板;形成于所述基板上的栅电极;形成于所述栅电极上的栅极绝缘层;形成于所述栅电极的上方的所述栅极绝缘层上的结晶硅层;形成于所述栅极绝缘层上且所述结晶硅层的两侧、膜厚比所述结晶硅层的膜厚薄的非晶硅层;形成于所述结晶硅层上的沟道保护层;以及沿着所述沟道保护层的端部的上表面、所述沟道保护层以及所述结晶硅层的侧面以及所述非晶硅层的上表面而形成于所述非晶硅层的一方的上方的源电极以及形成于所述非晶硅层的另一方的上方的漏电极。 |
地址 |
日本大阪府 |