生长在模板上以减小应变的Ⅲ-氮化物发光二极管

摘要

一种器件包括：III-氮化物结构，包括：第一层(22)，其中该第一层基本没有铟；在第一层上生长的第二层(26)，其中该第二层是包括铟的非单晶层；以及在第二层上生长的器件层(10)，该器件层包括在n型区和p型区之间设置的III-氮化物发光层。减小发光器件中的应变可以提高器件的性能。应变可以被如下定义：给定层具有与和该层相同组分的独立式材料的晶格常数对应的体晶格常数abulk以及与生长在所述结构中的该层的晶格常数对应的面内晶格常数ain-plane。层中的应变量是|(ain-plane-abulk)|/abulk。在一些实施例中，发光层中的应变小于1％。

主权项

一种半导体发光器件，包括：III‑氮化物结构，所述III‑氮化物结构包括：第一层，其中该第一层没有铟；在所述第一层上生长的第二层，其中该第二层是包括铟的非单晶层；在所述第一层和所述第二层之间设置的并且与所述第一层直接接触的第三层，其中该第三层是没有铟的非单晶层；以及在所述第二层上生长的器件层，该器件层包括在n型区和p型区之间设置的III‑氮化物发光层，其中：所述发光层具有与和所述发光层相同组分的独立式材料的晶格常数对应的体晶格常数abulk；所述发光层具有与生长在所述结构中的所述发光层的晶格常数对应的面内晶格常数ain‑plane；以及在发光层中|(ain‑plane‑abulk)|/abulk小于1％。