半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包含：一主体电晶体区；及一静电放电保护元件区，其中该主体电晶体区包含：一汲极区；一漂移区；本体区；一闸极绝缘膜；闸极电极；源极区；通道区；及电位提取区，且该静电放电保护元件区包含：该等本体区；该闸极绝缘膜；该等闸极电极；源极区与汲极区；及电位提取区，且在该静电放电保护元件区中之一闸极长度系等于或短于该主体电晶体区中之一通道长度之两倍。