薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体材料层、导电层及图案化光阻层。图案化光阻层包括二个第一部及连接于第一部之间的第二部，第一部的厚度大于第二部的厚度。以图案化光阻层为掩膜，移除未被图案化光阻层覆盖的导电层与氧化物半导体材料层，以形成氧化物半导体通道层及位于氧化物半导体通道层与图案化光阻层之间的图案化导电层。移除部分图案化光阻层，以减少第一部的厚度直到第二部被移除。以未被移除的第一部为掩膜，移除未被第一部覆盖的图案化导电层，以于氧化物半导体通道层上形成源极与漏极。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在一基板上形成一栅极；在该基板上依序形成一栅绝缘层、一氧化物半导体材料层以及一导电层；在该导电层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层包括二第一部、一连接于这些第一部之间的第二部以及二与各该第一部连接的第三部，各该第一部的厚度大于该第二部的厚度，且该第二部的厚度等于各该第三部的厚度；以该图案化光阻层为掩膜，移除未被该图案化光阻层覆盖的该导电层与该氧化物半导体材料层，以形成一氧化物半导体通道层以及位于该氧化物半导体通道层与该图案化光阻层之间的一图案化导电层，其中因侧蚀所导致的底切发生在该氧化物半导体通道层的侧壁处，且该底切位于这些第三部下方；移除部分的该图案化光阻层，以减少这些第一部的厚度直到该第二部与这些第三部被移除；以及以未被移除的这些第一部为掩膜，移除位于该底切上方且未被这些第一部覆盖的该图案化导电层，以在该氧化物半导体通道层上形成一源极与一漏极。