半导体装置之制造方法

摘要

将孔洞形成在绝缘层中。在等于或大于330℃且等于或小于400℃之温度下加热半导体基板。将含钨气体及至少乙硼烷(B2H6)气体及矽甲烷(SiH4)气体其中之一导入反应室内，藉此形成第一钨层。随后，将氢气(H2)气体及惰性气体至少其中之一导入反应室内，将半导体基板之温度以30秒以上之时间升高至等于或大于370℃且等于或小于410℃，然后将含钨气体导入反应室内，藉此在第一钨层上形成第二钨层。