半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，包括；一半导体基底，具有一第一部分与一第二部分；多数个电晶体，形成于该基底的该第一部分中，每个该电晶体具有一闸极结构，该闸极结构具有一高介电常数介电及一金属闸极；一装置，形成于该基底的第二部分中，该装置藉由一隔离区域隔离；以及一研磨停止物，形成于邻接该隔离区域，且具有一表面其实质上水平于该第一区域中的该电晶体的该闸极结构的一表面。