发明名称 |
一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法 |
摘要 |
本发明属于半导体光电技术领域,具体涉及到一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法。该等离子刻蚀气体成分主要为O2、N2和CF4组成,各组分流量比为O2:N2:CF4=1:1~3:6~10。本发明特点为在等离子刻蚀辉光过程中,通入定量的氮气,而氮气辉光时,会产生红色,当等离子刻蚀反应速率不同时,辉光的颜色也不同,反应速率由快到慢,分别为浅粉色,粉红色,红色。通过调整辉光时的颜色,确定最佳的辉光功率和时间,可以较容易的控制等离子刻蚀反应速率,进而解决了太阳电池生产过程中,出现的过度刻蚀及刻蚀不足现象。此方法简单、实用,只需简单改进现有等离子刻蚀机设备,不增加生产成本。 |
申请公布号 |
CN103035505A |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201110297548.3 |
申请日期 |
2011.10.08 |
申请人 |
长沙理工大学 |
发明人 |
周艺;郭长春;肖斌;欧衍聪;何文红;李荡;黄燕 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法,其特征包括以下工艺步骤:1)放入硅片,关上反应室门,打开真空泵,将腔室压力抽到5mTorr以下;2)通入反应气体,O2的流量为40~50sccm,N2的流量为40~150sccm,CF4流量为240~500sccm,压力恒定到300~400mTorr;3)打开高频电源,进行辉光,通过观察辉光颜色,来确定最佳的射频功率(800~900W)和反应时间(700~1000s);4)关闭高频电源,停止通入反应气体,将腔室压力抽到5mTorr以下时,通入N2,直到反应室内压强为标准大气压,打开反应室门,取出硅片。 |
地址 |
410114 湖南省长沙市雨花区万家丽南路2段960号 |