| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上形成薄膜；通过化学机械研磨工艺去除多余的薄膜材料；采用热辐射源对薄膜表面进行热处理。本发明中，所述热辐射源对CMP后的薄膜表面进行热处理，可以减少薄膜表面的污染物，减小在所述薄膜上沉积其他材料时所形成的小凸起的几率，进而提高了良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103035565A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110294756.8 | 申请日期 | 2011.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底上形成薄膜；通过化学机械研磨工艺去除多余的薄膜材料；采用热辐射源对薄膜表面进行热处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||