| 发明名称 | 一种薄膜晶体管生长工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种IGCZO TFT生长工艺及TFT流片工艺，该IGCZO生长工艺包括：1)腐蚀ITO玻璃；2)生长IGCZO复合层结构，其中，IGCZO复合层TFT器件后期制备流程包括1)刻蚀Al；2)湿法腐蚀IGCZO。在TFT流片工艺中，注意在有源层IGCZO生长过程，减少材料缺陷、优化沟道电导性能，控制栅绝缘层IGCZO的尺寸生长。从而获得低驱动电压、高开关比的TFT器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103035569A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210576534.X | 申请日期 | 2012.12.25 |
| 申请人 | 青岛盛嘉信息科技有限公司 | 发明人 | 曲志乾;于正友;魏薇 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人 | 汤东凤 |
| 主权项 | 一种IGCZO TFT生长工艺，其特征在于该IGCZO生长工艺包括：腐蚀ITO玻璃；生长IGCZO复合层结构其中，IGCZO复合层TFT器件后期制备流程如下：刻蚀Al；湿法腐蚀IGCZO。 | ||
| 地址 | 266071 山东省青岛市市南区如东路18号3号楼二单元101户 | ||