发明名称 |
用于形成低湿度介电膜的方法 |
摘要 |
本发明关于一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层或金属间介电(IMD)层的方法,所述方法包括下列步骤:将基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中,并在所述化学气相沉积处理腔室中,于基板上形成第一氧化物层。使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第一氧化物层。所述方法亦包括下列步骤:在CVD腔室中,于第一氧化物层上形成第二氧化物层。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第二氧化物层。在形成第一氧化物层及第二氧化物层期间,基板仍保持于CVD处理腔室中。 |
申请公布号 |
CN103026464A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201180018408.6 |
申请日期 |
2011.03.07 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
Z·Q·华;L·罗;M·A·埃尔南德斯;Z·曹;K·萨普瑞;A·巴特纳格尔 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
胡林岭 |
主权项 |
一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层及金属层的方法,所述方法包含下列步骤:将所述基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中;在所述CVD处理腔室中,于所述基板上形成第一氧化物层,使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第一氧化物层,所述热CVD处理使用包含臭氧及四乙基正硅酸盐(TEOS)的第一处理气体;在所述CVD处理腔室中,于所述第一氧化物层上形成第二氧化物层,使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第二氧化物层,所述PECVD处理使用包含氧及TEOS的第二处理气体,其中在形成所述第一氧化物层及所述第二氧化物层期间,所述基板仍保持于所述CVD处理腔室中;自所述CVD处理腔室移除所述基板;在阻挡沉积腔室中,于所述第二氧化物层上形成阻挡层;以及在金属沉积腔室中,于所述阻挡层上形成所述金属层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |