半导体装置

摘要

本发明提供一种能够保护半导体装置的内部电路免于ESD破坏并且防止由于电源电压的瞬间变动而引起的误动作的半导体装置。该半导体装置具备：第一和第二电源端子；内部电路，其连接在第一与第二电源端子之间；以及保护电路，其在第一与第二电源端子之间与内部电路并联连接，其中，保护电路具备：电阻与第一电容器的串联电路，该串联电路在第一与第二电源端子之间与内部电路并联连接；第一MOS晶体管，其与串联电路并联连接，并且根据电阻与第一电容器的连接点的电压来对该第一MOS晶体管进行控制；以及开关电路，其与电阻并联连接，在对第一与第二电源端子之间施加电源电压之后延迟接通来改变连接点的电压以使第一MOS晶体管截止。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一电源端子和第二电源端子；内部电路，其连接在上述第一电源端子与上述第二电源端子之间；以及保护电路，其在上述第一电源端子与上述第二电源端子之间与上述内部电路并联连接，其中，上述保护电路具备：电阻与第一电容器的串联电路，该串联电路在上述第一电源端子与上述第二电源端子之间与上述内部电路并联连接；第一MOS晶体管，其与上述串联电路并联连接，并且根据上述电阻与上述第一电容器的连接点的电压来对该第一MOS晶体管进行控制；以及开关电路，其与上述电阻并联连接，在对上述第一电源端子与上述第二电源端子之间施加电源电压之后延迟接通上述开关电路来改变上述连接点的电压以使上述第一MOS晶体管截止；其中，上述开关电路具有：第二MOS晶体管，其与上述电阻并联连接；以及电压提供电路，其在对上述第一电源端子与上述第二电源端子之间施加了上述电源电压之后，对上述第二MOS晶体管的栅极提供使上述第二MOS晶体管导通的规定电压。