| 发明名称 | 一种提高PEDOT:PSS薄膜物理性能的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高有机高分子聚合物PEDOT:PSS的物理性能的方法，通过在基底上附着一层PEDOT:PSS薄膜，将沾附有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜的基底置于真空度至少为3×10-4Pa的真空腔室中，用紫外线持续照射有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜至少21h，经测量，有机高分子聚合物PEDOT:PSS的功函数及导电性均得到提高，该导电聚合物PEDOT:PSS将会在二极管和其他一些器件的设计中得到更多的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103022362A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210540191.1 | 申请日期 | 2012.12.13 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 邢英杰;钱旻昉 |
| 分类号 | H01L51/48(2006.01)I;C23C14/12(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I;B05D3/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 一种提高PEDOT:PSS薄膜物理性能的方法，其包括以下步骤：1)在基底上附着一层PEDOT:PSS薄膜；2)烘烤沾有PEDOT:PSS薄膜的基底；3)将烘烤后的基底置于真空腔室中；4)用紫外线照射持续照射基底上的PEDOT:PSS薄膜。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||