半导体器件及其制造方法

摘要

公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的3D结构。半导体器件还包括设置在3D结构上方的介电层、设置在介电层上方的WFMG层、以及设置在WFMG层上方的栅极结构。栅极结构横贯3D结构，并且分离3D结构的源极区域和漏极区域。源极和漏极区域在它们之间限定沟道区域。栅极结构引起沟道区域中的应力。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；3D结构，设置在所述衬底的上方；介电层，设置在所述3D结构的上方；功函数金属群(WFMG)层，设置在所述介电层的上方；以及栅极结构，设置在所述WFMG层的上方，其中，所述栅极结构横贯所述3D结构并分离所述3D结构的源极区域和漏极区域，在所述源极区域和所述漏极区域之间限定沟道区域，并且其中，所述栅极结构产生所述沟道区域中的应力。