发明名称 |
多位阶单元记忆体之读取方法及应用其之读取电路 |
摘要 |
一种MLC记忆体之读取方法。此方法包括下列步骤。依序提供多个字元线电压。依序提供对应至该些字元线电压之多个位元线电压。此些字元线电压之其一大于此些字元线电压之另一,且对应之此些位元线电压之其一系小于对应之此些位元线电压之另一。 |
申请公布号 |
TWI391947 |
申请公布日期 |
2013.04.01 |
申请号 |
TW097129950 |
申请日期 |
2008.08.06 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
何信义;洪继宇 |
分类号 |
G11C8/08;G11C7/12 |
主分类号 |
G11C8/08 |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |