| 摘要 |
被配置在绝缘层(1)内之通孔(4)中的导电体(5)之制造方法，系具备有填充工程、和加压工程、和切离工程、以及取出工程。在填充工程中，系在由具备有对应于应形成之导电体形状的沟部之模构件(21)、和移动构件(22)所成的密闭空间中，填充银粒子与锡粒子之混合粉体。在加压工程中，系使前述移动构件(22)以接近前述模构件(21)的方式来作相对性移动，而对被填充在前述密闭空间中之混合粉体作加压，并推入至前述模构件(21)之沟部中。在切离工程中，系为了将无法塞入前述模构件(21)之沟部中而残留在前述模构件(21)表面上的混合粉体，从被推入了前述模构件(21)之沟部中的混合粉体来切离，而在前述模构件(21)与前述移动构件(22)之间，使构成前述密闭空间之侧面构件(20)与残留在前述模构件(21)表面上之混合粉体一同地在前述模构件(21)上滑动。在取出工程中，系从前述模构件(21)之沟部来将导电体(5)取出。 |
