使介电膜固化的方法

摘要

描述了一种用于使衬底上的低介电常数(low-k)介电膜固化的方法，其中，low-k介电膜的介电常数比约4的值更低。所述方法包括将low-k介电膜暴露于紫外线(UV)辐射。在UV暴露之后，将介电膜暴露于IR辐射。

主权项

一种方法，其用于使衬底上的低介电常数(low‑k)介电膜固化，所述方法包括以下步骤：将具有低介电常数介电膜的衬底布置在固化系统中；在所述固化系统中使所述低介电常数介电膜暴露于紫外线(UV)辐射以引起键离解和交联引发体的生成，并在所述低介电常数介电膜内部分地引起交联，其中，在所述紫外线暴露过程中，通过将与所述衬底接触的衬底保持器的温度提高至在从200摄氏度至600摄氏度范围内的固化温度，来加热所述低介电常数介电膜；并且在所述紫外线暴露之后，使所述低介电常数介电膜暴露于红外线(IR)辐射，所述红外线辐射是具有窄波带的基本单波长电磁(EM)辐射，其中所述低介电常数介电膜的介电常数比为4的值更低。