| 发明名称 | 一种P-n透明同质结二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及由p型掺Ga的SnO2(p-SnO2:Ga)和n型掺F的SnO2(n-SnO2:F)构成的透明同质结p-SnO2:Ga/n-SnO2:F二极管及其制备方法。采用磁控溅射和活性氧技术，可在有n-SnO2:F导电层的衬底上生长p-SnO2:Ga透明导电薄膜，制备出透明同质p-n结二极管。该二极管具有典型的I-V整流特性，且具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低、热稳定性和化学稳定性好等特点，可用作透明电子器件的基本元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101964381B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200910089589.6 | 申请日期 | 2009.07.22 |
| 申请人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明人 | 王焕华;杨铁莹;姜晓明;贾全杰;秦秀波;于润升;王宝义 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 一种制备p‑n透明同质结二极管的方法，是以SnO2:F透明导电玻璃为衬底，在该透明导电玻璃衬底上，于500℃‑750℃衬底温度范围内，采用反应射频磁控溅射技术，以Ar、O2混合气体为工作气体，生长出p型Sn1‑xGaxO2透明导电薄膜，0＜x＜0.3，该p型Sn1‑xGaxO2透明导电薄膜与位于其下方的n型SnO2:F导电层形成同质p‑n结二极管；Ar、O2混合气体的混合比例按体积比为3∶1‑1∶9。 | ||
| 地址 | 100049 北京市石景山区玉泉路19号乙 | ||