发明名称 |
LED芯片及LED芯片的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制造方法,LED芯片包括外延发光体、导热基板和导热缓冲层,导热缓冲层设置于导热基板的一侧,外延发光体键合至导热缓冲层,导热缓冲层的平均热膨胀系数介于导热基板和外延发光体之间。通过上述方式,本发明能够有效改善导热基板与外延发光体之间因热膨胀系数相差过大而出现的热失配问题;因此,能够有效改善LED芯片的裂片问题,提高成品率、延长LED芯片的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN103000776A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201210457469.9 |
申请日期 |
2012.11.14 |
申请人 |
深圳大学 |
发明人 |
柴广跃;冯丹华;刘文;李倩珊;徐健;阚皞;胡永恒;张菲菲;李耀东 |
分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦 |
主权项 |
一种LED芯片,其特征在于,所述LED芯片包括外延发光体、导热基板和导热缓冲层,所述导热缓冲层设置于所述导热基板的一侧,所述外延发光体键合至所述导热缓冲层,所述导热缓冲层的平均热膨胀系数介于所述导热基板和所述外延发光体之间。 |
地址 |
518060 广东省深圳市南海大道3688号 |