阻抗可变存储器件及其操作方法

摘要

本发明提供一种阻抗可变存储器件及其操作方法。该阻抗可变存储器件具有顶部电极与底部电极之间的相变材料。在操作阻抗可变存储器件的方法中，以从顶部电极至底部电极的方向施加写电流，且以从底部电极至顶部电极的方向施加读电流。通过施加写电流编程相变材料，通过施加读电流抑制相变材料的阻抗漂移。

主权项

一种用于操作在顶部电极与底部电极之间具有相变材料的阻抗可变存储器件的方法，所述方法包括：在编程操作中施加写电流以编程所述相变材料；以及在施加所述写电流的同时，施加读电流以读取存储在所述相变材料的数据，其中所述写电流与所述读电流的方向彼此相反，所述读电流在编程操作后执行的虚读操作中施加，或者在正常读操作中施加。