利用具有插入区域的间隔物掩模的频率三倍化

摘要

本发明利用具有插入区域的间隔物掩模的频率三倍化。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有由一系列线构成的牺牲掩模的半导体叠层。然后形成间隔物掩模，其包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。间隔物掩模还具有处于间隔物线之间的插入线。最后，去除所述牺牲掩模，以仅仅提供间隔物掩模。具有插入线的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率三倍化。

主权项

一种用于制造半导体掩模的方法，包括：提供具有牺牲掩模的半导体叠层，其中所述牺牲掩模由一系列线构成；形成间隔物掩模，所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线和处于所述间隔物线之间的插入线，其中，所述间隔物线和所述插入线具有相同宽度，并且所述间隔物掩模的间隔物线和插入线的频率是所述牺牲掩模的所述一系列线的频率的三倍；去除所述牺牲掩模；以及修剪所述间隔物掩模的每一个所述间隔物线的一部分，以形成具有插入线的经修剪的间隔物掩模，其中在形成所述具有插入线的经修剪的间隔物掩模之后，所述牺牲掩模被去除。