| 发明名称 | 一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法，以CuO纳米线为模板生长一维C/SnO2@C/C/CuO复合纳米线，再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板，随后再在H2/Ar还原性气氛中热处理，最终得到一维C/Sn@C/C复合纳米管。本发明运用CuO模板法制备出一维C/Sn@C/C复合纳米管，制备工艺简单，所制备的材料具有大比表面积，导电性好，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。 | ||
| 申请公布号 | CN102983315A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201210556114.5 | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 福州大学 | 发明人 | 杨尊先 |
| 分类号 | H01M4/38(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01M4/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法，其特征在于：以CuO纳米线为模板生长由外到内依次为碳、氧化锡@碳复合材料、碳、氧化铜的纳米线，即C/SnO2@C/C/CuO复合纳米线，再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板，随后再在H2/Ar还原性气氛中热处理，最终得到一维由外到内依次为碳、锡碳复合材料、碳的C/Sn@C/C复合纳米管。 | ||
| 地址 | 350001 福建省福州市鼓楼区工业路523号 | ||