一种静态随机存储器的寄生参数的测试系统和方法

摘要

本发明公开了静态随机存储器的寄生参数的测试系统及方法，用于测试静态随机存储阵列中各晶体管的栅覆盖电容和PN结特性，其中，静态随机存储阵列中各相同类型的晶体管的栅极并联耦接于第一测试点；各相同类型的晶体管的有源区并联耦接于第二测试点，各相同类型的晶体管的衬底并联耦接于第三测试点，栅覆盖电容测试模块通过第一测试点和第二测试点可测量各晶体管的栅覆盖电容，PN结电流和结电容测试模块通过第二测试点和第三测试点可测量各晶体管的PN结电流和PN结电容。本发明充分利用静态随机存储阵列的结构特点，测量静态随机存储阵列中各晶体管的电容和PN结特性，以进行模型参数的优化。

主权项

一种静态随机存储器的寄生参数测试系统，用于测试静态随机存储阵列中各晶体管的栅覆盖电容和PN结特性，其特征在于，所述测试系统包括：第一测试点，所述静态随机存储阵列中各相同类型的晶体管的栅极并联耦接于所述第一测试点；第二测试点，所述静态随机存储阵列中各相同类型的晶体管的有源区并联耦接于所述第二测试点；第三测试点，所述静态随机存储阵列中各相同类型晶体管的衬底并联耦接于所述第三测试点；栅覆盖电容测试模块，耦接所述第一测试点和第二测试点，测试所述静态随机存储阵列中各所述晶体管的栅覆盖电容；以及PN结电流和结电容测试模块，耦接于所述第二测试点与第三测试点，测试所述静态随机存储阵列中各所述晶体管的PN结电流和PN结电容。